掺杂浓度对电沉积法制备ZnS：Cu光学薄膜影响

摘要

采用阴极恒电压法在ITO(In2O3-SnO2)导电玻璃表面制备了ZnS∶Cu薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱仪(PL)研究了掺杂浓度对ZnS∶Cu薄膜的物相组成、显微结构及发光性能的影响。结果表明:控制Cu2+的质量掺杂浓度在0.4%以内,并不会改变ZnS薄膜的物相组成,而且会使薄膜的结晶程度有所提高。研究还发现,在pH=4.0,沉积电压为2 V,掺杂浓度为0.3%的条件下,所制得的ZnS∶Cu薄膜光致发光光谱峰值最大,亮度最高。