水热法结合脉冲电沉积制备宽禁带ZnS薄膜材料的方法

摘要

本发明公开了一种水热法结合脉冲电沉积制备宽禁带ZnS纳米薄膜材料的方法。依次包括如下步骤：(1)ITO导电玻璃的准备和预处理；(2)脉冲电沉积在导电玻璃上制备ZnS纳米晶种；(3)水热法在沉积有ZnS纳米晶种导电玻璃上制备ZnS纳米薄膜材料。本方法制备的ZnS纳米薄膜表面平整致密，与基体粘合力强。ZnS纳米薄膜材料荧光发射光谱表明，样品在469nm处有明显的发射峰，发蓝光；从紫外透过率可以推算出此ZnS的禁带宽度在5.5ev左右。