注入二氧化硅的硼/磷杂质分布的一般表达式

摘要

在能量分别为50～700keV和50～1200keV范围内,把硼离子和磷离子注入SiO_2薄膜中。利用二次离子质谱分析(SIMS)测出浓渡分布,并且采用Leverberg-Marquardt优选法,进行皮尔逊分布近似。导出的范围和离散值与已发表的数据符合得非常好。优选法对于第三矩量和第四矩量给出了很精确的值,确定了注入离子的能量和不同的分布矩量之间的一般关系,同时把这些结果同SUPREM-3工艺模拟程序中所使用的值进行比较。