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刘宏伟; 牛萍娟; 郭维廉; 苗长云;
天津工业大学信息与通信工程学院;
RTD/HEMT; 多值逻辑电路; PSPICE模拟; 共振隧穿二极管; 高电子迁移率晶体管; 电路设计;
机译:Pspice模拟反激电路行为:两种不同的方法描述了使用Pspice进行反激电路的设计
机译:电子电路模拟器缩短电路常数检查时间PSPICE:电路模拟器的利用点
机译:用量子流体动力运输模型模拟基于RTD和HEMTS的单片集成电路量子效应研究
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:用于毫米波和亚毫米波电源的先进高电子迁移率晶体管(HEmT)单片毫米波集成电路(mmIC)电路
机译:具有多层鳍的FinFET,用于多值逻辑(MVL)应用
机译:用于多值逻辑(MVL)应用的具有多层鳍的FINFET及其形成方法
机译:用于多值逻辑(MVL)应用的具有多层鳍的FinFET及其形成方法
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