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石富文; 孟祥键; 王根水; 林铁; 李亚巍; 马建华; 孙兰; 褚君浩;
中国科学院上海技术物理研究所;
红外物理国家重点实验室;
中国科学院研究生院;
铁电薄膜; 剩余极化; 介电特性;
机译:铁电存储器应用Bi(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3掺杂Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3薄膜的随频率变化的电性能
机译:具有增强铁电性能的Bi(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3掺杂锆钛酸铅钛铁电薄膜的结构和电学表征
机译:Bi(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3掺杂Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3薄膜的电性能和X射线光电子能谱研究
机译:Pb_5Ge_3O_(11)-PbZr_(0.5)Ti_(0.5)O_3体系中铁电薄膜的加工与表征
机译:铁电铅(Zirconium0.5,Titanium0.5)Oxygen3纳米管阵列的结构特性和老挝掺杂的钛酸锶锶的电子结构。
机译:铌掺杂对0.4(Bi0.5K0.5)TiO3-0.6BiFeO3无铅压电陶瓷电性能的影响
机译:Er3 +掺杂Na0.5Bi0.5TiO3铁电薄膜的增强 电学特性和强绿色上转换发光
机译:用于室温高频可调元件应用的外延铁电Ba(0.5)sr(0.5)TiO3薄膜
机译:具有钙钛矿型锰氧化物薄膜和所述薄膜,为ND 0.5 Sr 0.5 MnO 3钙钛矿型锰。
机译:铝基体上喷雾热解法生长的纳米晶CD0.5FE0.5S薄膜的光电化学性能
机译:Alxga1-Xn 0.5x1制造具有高结晶度的Alxga1-xn 0.5x1压电薄膜的方法及其使用薄膜的装置
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