B位掺杂对Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.5)(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.5)_x(Zr_(0.825)Ti_(0.175))_(1-x)O_3系陶瓷铁电畴反转的影响

摘要

用传统陶瓷工艺制备了Pb[(Mn1/3Nb2/3)0.5(Mn1/3Sb2/3)0.5]x(Zr0.825Ti0.175)1-xO3(其中x为B位掺杂的摩尔分数,下同)系铁电陶瓷,研究了室温条件下电滞回线的特性。结果显示:当x≤0.1时,电滞回线出现“束腰”;当x=0.2时,“束腰”消失。用X射线光电子能谱、X射线衍射分析手段研究了“束腰”现象,并用氧缺位内偏场理论分析该现象的微观机理。结果表明:过量Mn偏析于晶界,使材料的晶界具有p型导电性,偏析Mn的量越多,晶界p型导电性越强,氧缺位钉扎电畴的能力下降,电畴容易反转,进而导致“束腰”现象消失。另外,随着x增大,剩余极化强度先增大后减小,矫顽场逐渐增大。