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刘志强; 王良臣; 于丽娟; 郭金霞; 伊晓燕; 马龙; 王立彬; 陈宇;
中国科学院半导体研究所集成技术中心;
InP/Si; 键合; 热应力; 退火温度;
机译:欧姆InP / Si直接键合异质界面
机译:热处理以防止在直接键合的InP / Si界面上形成空隙
机译:直接键合Si(011)/ si(001)衬底中界面结构的表征和分析
机译:室温下表面活化键合形成的Si / Si,Si / InP和Si / GaAs界面的键合强度和电学特性:溅射时间和能量的影响
机译:密封剂对金线键合-铝键合焊盘界面的高温可靠性的影响。
机译:基于空间域与形态相结合的红外激活等离子体激活Si-Si键合界面的研究
机译:Inp,Gaas和si-金属界面的化学键合,相互扩散和电子结构
机译:使用亲水性硅表面的准疏水性Si-Si晶圆键合和界面键合氧化物的溶解
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