LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响

摘要

用AB腐蚀液对SI GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB EPD :10 3～ 10 4 cm- 2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (位错密度EPD :10 4cm- 2 量级 ) ,发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响 ,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响 :低AB EPD的片子跨导大 ;高AB EPD的片子跨导小。AB EPD有一临界值 ,当AB EPD高于此值时 ,跨导陡然下降。另外 ,还利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底进行了测量 ,得出了与上述结果相符的结果。