Rice University.;
Ab initio simulations; Band gap; Carbon nanotubes; Computational materials science; Dft; Electronic structure; Interwall interaction; Iodine doping; Siesta; Vacancy defects;
机译:碳纳米管调理部分1-交错相互作用对双壁碳纳米管电子带隙的影响
机译:双壁碳纳米管交错滑动行为的原子模拟:结构缺陷的影响
机译:掺氮碳纳米管应变的电子性质:从头算方法
机译:硅掺杂碳纳米管的从头算研究:电子和结构性能
机译:纤锌矿型氮化铝(W-AlN)的电子和输运性质的计算,以及多壁碳纳米管(外径20-30纳米)-环氧树脂复合材料的微波吸收性能。
机译:原始和B或N掺杂的碳纳米管和石墨烯表面铬酸盐分子阴离子吸附的从头算计算研究
机译:碳纳米管调节:从头开始模拟壁间相互作用,缺陷和掺杂对碳纳米管电子性能的影响。