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阮海波; 孔春阳; 秦国平; 南貌;
重庆师范大学物理学与信息技术学院光学工程重点实验室;
射频测控溅射; 离子注入; Mn—N共掺; 退火; 电激活; p型ZnO;
机译:p型ZnO的特性:通过安瓿管法和ZnO p-n同质结制备的薄膜
机译:用安瓿管法和ZnO p–n同质结制备的p型ZnO:As薄膜的特性
机译:通过溅射氧化Zn_3N_2薄膜制备的p型N掺杂ZnO薄膜的电特性
机译:ZnO / Al / ZnO纳米结构制备n + sup>型ZnO:Al薄膜的性能研究
机译:具有防污/释垢特性的II型干凝胶薄膜的制备和分析
机译:溶液法制备双层ZnO / In2O3薄膜晶体管的电学特性研究
机译:用于下一代显示器的原子层沉积制备的高性能和高可靠性ZnO薄膜晶体管。
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
机译:制备P型ZnO基复合半导体层的方法,制备ZnO基复合半导体元件的方法,P型ZnO基复合半导体,单晶层,ZnO基复合半导体粉体,ZnO
机译:补偿与N型导电特性的银和第III族元素共掺杂的ZnO基薄膜的方法,并用该方法制成薄膜
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