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康爱国; 孟祥提; 王吉林; 贾宏勇; 陈培毅; 钱佩信;
清华大学核能技术设计研究院;
清华大学微电子学研究所;
SiGe; HBT; Si; BJT; γ射线辐射; 直流电学特性; 硅锗异质结对极晶体管; 同硅双极晶体管;
机译:中子辐照对SiGe HBT和Si BJT电性能影响的比较
机译:SOI衬底上Si BJT和SiGe HBT的几何尺度效应研究
机译:Si / SiGe HBT工艺中的超高速数据转换器构建块。
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:在单个siGe岛内部的si沟道中的应变测定 使用纳米束x射线衍射的场效应晶体管
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机译:制造SOI横向Si-Simiter SiGe基HBT的方法
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