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牛振红; 郭旗; 任迪远; 刘刚; 高嵩;
中国科学院新疆理化技术研究所;
SiGe异质结双极晶体管; 电离辐射; 损伤机理;
机译:〜(60)Coγ射线辐照引起的SiGe HBT的总电离剂量效应
机译:中子辐照对SiGe HBT和Si BJT电性能影响的比较
机译:对200GHz SiGe HBT(HF 12)的100meV氧离子和C0-60γ辐照效应的比较
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:高γ射线剂量下ER 2 O 3 / N-Si结构的辐照效应
机译:低剂量,低剂量率暴露于来自JaNUs反应堆或sup 60 Co伽马射线的裂变中子的比较生物效应
机译:SOI横向Si发射极SiGe基HBT的制造方法
机译:制造SOI横向Si-Simiter SiGe基HBT的方法
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