CuO掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷的结构与性能

摘要

采用传统陶瓷制备工艺,以容差因子为依据进行CuO掺杂,制备了可在较低温度烧结成瓷的Ba0.6Sr0.4TiO3(BSTO)基陶瓷。结果表明,w(CuO)=0.5%～4.0%的BSTO基陶瓷可在1200℃烧结成瓷,且不会引入杂相。介电性能测试表明,在室温低频下,随CuO掺杂量的增加,BSTO陶瓷的介电常数增加,而介电损耗降低;在微波频段下,BSTO基陶瓷的介电常数和介电损耗均随CuO掺杂量的增加而增大。可调性测试表明,在1kV/mm的直流偏压下,各BSTO基陶瓷掺杂样的可调性均大于10%,其中,试样w(CuO)=1%的可调性达到13.2%。