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R.J.Soukup; 张汉三;
功率晶体管; 基极; 脉冲射频; 器件; 击穿电压; 巨型晶体管; 电力电子器件; 发射极; 脉冲功率; 失效物理; 失效机理; 漏电流; 金属化; 电徙动;
机译:使用射频兼容工艺实现的功率AlGaN / GaN HEMT的击穿失效机理研究
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机译:症状可靠性:雷达应用脉冲射频寿命试验后,功率横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的S参数评估
机译:负载脉冲宽度对大功率IGBT模块功率循环失效机理的影响
机译:电控大功率射频开关的开发及其在有源射频脉冲压缩系统中的应用。
机译:使用基于二极管连接的CMOS晶体管的UHF微功率CMOS整流器的射频能量采集系统
机译:大功率射频发生装置失效机理研究
机译:具有内部谐波频率降低的射频功率晶体管封装以及形成具有内部谐波频率降低的射频功率晶体管封装的方法
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