sn-parameter performance degradation by hot electron induced for N-MOS'/>
机译:症状可靠性:雷达应用脉冲射频寿命试验后,功率横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的S参数评估
, ENISo, 4023 Sousse University, Tunisia;
MOSFET; semiconductor device reliability; life testing; semiconductor device testing; radar equipment; hot electron transistors; leakage currents;
机译:雷达施用S频段脉冲 - 射频老化寿命试验下功率N-LDMOS的RF性能可靠性
机译:提取增强型横向绝缘栅双极晶体管:一种超高速横向绝缘栅双极晶体管,优于横向双管扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的热载流子可靠性和退化指标研究
机译:栅极湿法再氧化对在4H-SiC上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性和沟道迁移率的影响(0001)
机译:硅的横向固相外延及其在金属氧化物半导体场效应晶体管制造中的应用。
机译:用于生化传感器应用的互补金属氧化物半导体芯片上的硅纳米线场效应晶体管阵列的单片集成
机译:栅极湿式再氧化对4H-siC(000 1)上制备的金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性和沟道迁移率的影响
机译:最近的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mOsFET)测试结果。