退火温度对BNST薄膜结构和性能的影响

摘要

采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/LaAlO3(100)衬底上制备了BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2系(BNST)薄膜。研究了退火温度对BNST薄膜结构、表面形貌和介电性能的影响。X线衍射仪(XRD)分析表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐长大。经850℃退火处理的BNST薄膜具有很好的结晶质量。原子力显微镜(AFM)分析表明,在一定范围内提高退火温度所制备的薄膜晶粒致密、大小均匀。LCR测试分析表明,在测试频率为100kHz时,随着退火温度的升高,BNST薄膜介电常数有所增加,介电损耗则先降低,后增加。实验表明,经850℃退火处理,所制备的BNST薄膜的介电常数达37,介电损耗小于1.2‰。