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钱士雄; 李郁芬; 彭文基; 余振新;
复旦大学物理系;
中山大学激光光谱研究所;
InGaAs/GaAs; 动态特性; 光致发光谱; 微结构材料; 时间分辨; 势垒层; 高重复率; 复合过程; 辐射寿命; 条纹相机;
机译:GaAs / InGaAs / GaAs量子阱中Mn掺杂结构中自由电荷载流子的热,输运和磁输运性质
机译:GaAs势垒中Mnδ层对InGaAs / GaAs量子阱中载流子自旋极化的铁磁效应
机译:基于时间分辨泵浦和探针差分光致发光的InGaAs / GaAs量子阱中嵌入的InAs量子点的载流子动力学研究
机译:皮秒时间分辨的InGaAs / GaAs量子点中载流子寿命和载流子捕获的研究
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:磁光致发光法研究载流子限制对激子有效质量的影响并估计AlxGa1-xAs / GaAs量子阱中的超低无序
机译:利用多波长泵浦探针技术研究InGaas / alGaas应变层量子阱二极管激光器中的载流子加热
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:Ingaas EPI结构和湿蚀刻工艺,用于在艺术沟中启用III-V Gaa
机译:INGAAS EPI结构和湿法蚀刻工艺,可在艺术风潮中启用III-V GAA
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