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许宇庆; 张其土;
浙江大学材料系;
碳化硅; 氮化硅; 沉积; 激光诱导;
机译:激光化学气相沉积法制备具有高电化学性能的3C-SiC /石墨烯纳米林
机译:气体流量对SiH_4-C_2H_4-H_2系统中化学气相沉积法合成SiC超细粉的影响
机译:通过激光化学气相沉积制备多孔3C-SiC膜的生长机理
机译:激光诱导化学气相沉积法制备微碳柱
机译:金属有机化学气相沉积和激光光化学气相沉积对III-V族化合物半导体材料的生长和表征
机译:卤化物激光化学气相沉积法在110取向块状3C-SiC中原位掺杂氮
机译:化学气相沉积和等离子体辅助化学气相沉积技术制备碳 - 碳复合材料氧化保护体系的研究。
机译:SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料
机译:贵金属化合物薄膜和贵金属薄膜的化学气相沉积方法以及制备化学气相沉积的有机金属化合物和化学气相沉积的金属有机化合物的方法
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