天青Ⅰ修饰玻碳电极的电化学性质及其对NADH的催化氧化

摘要

本文利用滴涂于玻碳表面的Nation膜中负电性的磺酸基与天青Ⅰ阳离子之间的静电作用，以实现天青Ⅰ的固定化，从而制备出Nafion／天青Ⅰ电催化型烟酰胺腺嘌呤二核苷酸（NADH）传感器。采用循环伏安法考察了传感器的电化学性质，并研究了该修饰电极对NADH的电催化作用。实验结果表明：该修饰电极对NADH有良好的电催化作用，NADH氧化峰电位比未修饰的玻碳电极负移了660mV，响应电流与NADH的浓度在8．7×10^-5～1．5×10^-2mol／L范围内呈良好的线性关系。该方法检出限为3．0×10^-5mol／L。