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郑长鉴; 贾默伊;
河北理工学院自动化系;
砷化镓; 晶体管; 碰撞电离; 结电容;
机译:具有多种功函数栅金属的砷化铟铝/砷化镓铟变质高电子迁移率晶体管的碰撞电离和闪烁噪声特性研究
机译:薄砷化镓二极管中碰撞电离的研究
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机译:锗,硅和砷化镓中电子和空穴的高能输运和碰撞电离的全频带蒙特卡洛模拟
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓(半导体,蒙特卡罗,碰撞电离)中电子和空穴的高能输运的理论研究。
机译:通过砷化镓结-场效应晶体管电检测带电肽的生物相互作用
机译:衬底中深陷阱对砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)特性影响的二维模拟
机译:电离辐射对砷化镓磷化物金属 - 绝缘体 - 半导体结构的影响,
机译:使用砷化镓的场效应晶体管大信号等效电路模型的参数创建方法,使用参数创建方法的模拟方法,通过计算机执行的方法的程序以及通过程序记录的记录介质
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