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晏长岭; 秦莉; 宁永强; 张淑敏; 王青; 赵路民; 刘云; 王立军; 钟景昌;
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;
中国科学院激发态开放重点实验室;
吉林大学;
应变量子阱; 量子化能级; 跃迁; 长波长; 色散关系;
机译:InGaAsN / GaAsP / GaAs应变量子阱的能带结构和光学增益
机译:用14波段k·p哈密顿量计算II型GaSbBi / GaAs量子阱的能带结构和光增益
机译:通过10波段,8波段和6波段k·p模型计算的In_xGa_(1-x)As_(1-y)N_y / GaAs量子阱的电子能带结构和光学透明条件的比较
机译:应变氮化物量子阱的经验pseudo势复能带结构计算
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:通过分子束外延在Si(100)上生长的GaAs / GaInAs核-多量子阱壳纳米线结构的室温光致发光的观察和可调性
机译:Gaas / InGaas / Gaas单应变量子阱结构中的空穴传输和电荷转移
机译:具有GaInAs / GaAs量子阱结构的场效应晶体管
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:具有可变偏振的应变量子阱结构和具有该应变量子阱结构的光学器件
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