Ga_xIn_(1-x)As/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算

摘要

对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层。研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系。