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金智; 杨树人; 安海岩; 刘式墉;
吉林大学电子工程系;
净应力; 应变多量子阱; 位错的动力学模型; 应变弛豫;
机译:压缩应变的InGaAsP / InGaAsP量子阱激光器结构中以1.55μm发射的量子阱混合过程的光反射研究
机译:差分量子效率对InGaAs / InGaAsP应变层多量子阱激光器中约束结构的依赖性
机译:在具有高偏振稳定性的GaAs(311)B衬底上生长的850 nm InAlGaAs应变量子阱垂直腔面发射激光器
机译:量子阱异质结构激光器的进展:选择性区域外延生长的应变层掩埋异质结构激光器
机译:(111)A砷化镓上的压电铟砷化镓/砷化镓应变量子阱结构:MOVPE的生长,性质及其在半导体激光器中的应用。
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:(001)和(111)晶格匹配和应变量子线激光器的光电特性 - 与量子阱激光器的比较
机译:应变量子阱半导体激光器件及应变量子阱结构的制造方法
机译:压缩应变量子阱半导体激光器的外延结构和量子阱激光器
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
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