n型GaAsMESFET沟道特性的研究

摘要

报道了ｎ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ漏源电流Ｉｄｓ和栅源电压Ｖｇｓ间的关系，发现在负栅压状态下，沟道特性分四个区域：过调制区、线性调制区、过渡区和夹断区，并且零栅压饱和漏源电流大的器件线性调制区的范围较大，过渡区的范围较小。