多晶锗硅(Poly-Si_(0.7)Ge_(0.3))薄膜的制备

摘要

采用超高真空CVD(UHV/CVD)系统制备了多晶锗硅poly-Si1-xGex薄膜,Raman测试确定了Ge的组份,研究了其电阻温度特性,电阻温度系数TCR可达-2.10％/℃。