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白彬; 张鹏程; 邹觉生; 陈元儒;
中国工程物理研究院;
西南交通大学材料工程系;
离子注入; 温度; 深度分布; 氮;
机译:一次氧离子注入对玻璃中SIMS深度分布的影响
机译:离子注入温度对Ar等离子体处理金属/ n型4H-SiC接触电阻的影响
机译:HfMoN金属栅极和自对准氟离子注入对具有$ hbox {Gd} _ {2} hbox {O} _ {3} $栅极电介质的pMOSFET负偏压温度不稳定性的影响
机译:大剂量低能离子注入对掺杂深度分布的影响
机译:注入温度和电离辐射对离子注入蓝宝石微观结构的影响。
机译:碳离子注入对人工关节金属对金属轴承摩擦学的影响
机译:透射电子显微镜观察离子注入金属中马氏体相的深度分布
机译:衬底温度对金属离子注入二氧化硅中金属胶体形成和光学响应的影响
机译:基于控制方法的离子深度分布控制方法,离子注入方法和半导体器件制造方法,以及控制方法的离子注入系统
机译:离子深度分布控制方法,基于该控制方法的离子注入方法和半导体器件制造方法以及与该控制方法相适应的离子注入系统
机译:基于该控制方法的离子深度分布控制方法,离子注入方法和半导体器件制造方法,以及采用该控制方法的离子注入系统
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