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王超; 陆挺; 汪新福; 周宏余; 朱光华;
北京师范大学低能核物理所,;
离子注入; 花生种胚; 卢瑟福背散射RBS; 深度分布;
机译:低能量横截面阴极致发光,Si离子注入β-GA_2O_3点缺陷的深度分布分析
机译:通过微聚焦掠射X射线荧光和掠入射X射线荧光对Si和Ge中低能离子注入的深度分布进行分析
机译:低能离子注入产生的SiN_x层的氮深度分布,界面和结构分析
机译:大剂量低能离子注入对掺杂深度分布的影响
机译:通过离子注入和脉冲激光熔化合成的III-锰-钒铁磁半导体。
机译:校正:花生低能C +离子注入的生长及其光合特性的研究
机译:离子诱导损伤和离子注入原子深度分布的数据编译
机译:基于控制方法的离子深度分布控制方法,离子注入方法和半导体器件制造方法,以及控制方法的离子注入系统
机译:离子深度分布控制方法,基于该控制方法的离子注入方法和半导体器件制造方法以及与该控制方法相适应的离子注入系统
机译:基于该控制方法的离子深度分布控制方法,离子注入方法和半导体器件制造方法,以及采用该控制方法的离子注入系统
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