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谢自力; 邱凯; 尹志军;
南京大学物理系;
南京电子器件研究所;
高能电子衍射振荡; MBE异质材料; 生长工艺; 分子束外延; 砷化镓器件; 赝配结构高电子迁移率晶体管;
机译:RHEED和XPS研究PA-MBE生长的InGaN / GaN(0001)/ Al_2O_3异质结构的伪(1×1)表面
机译:RHEED监测III族氮化物异质结构MBE生长期间的弹性应力
机译:CaF_2 / Si / CaF_2结构MBE生长过程中RHEED镜面反射的振荡强度分析
机译:Si(111)表面MBE MBE MBE中RHEED振荡时期的生长温度的影响
机译:通过同时使用原位反射高能电子衍射(RHEED)和反射电子能量损失谱(REELS)来表征MBE生长的金属,半导体和超导体薄膜和界面
机译:新型β-NiS薄膜修饰的CdS纳米花异质结构纳米复合材料光催化制氢的合成工艺优化数据
机译:RHEED控制的AlGaN / GaN异质结构中高电子迁移率2DEG的MBE生长
机译:monte-Carlo模拟mBE(分子束外延)III-V半导体的生长:RHEED强度动力学的生长动力学,机制和后果
机译:MBE制备用于异质结生长的InSb基体表面的方法
机译:使用多个MBE腔室进行异质外延生长的方法
机译:MBE生长的II-VI化合物在均质或异质底物上的原位掺杂
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