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唐元洪;
香港城市大学物理与材料科学系;
非晶硅; 测量方法; 隙态密度; SCLC法; 半导体材料;
机译:利用空间电荷限制电流技术研究非晶硅材料中局部能隙态的密度
机译:化学气相沉积氢化非晶硅膜中能隙态和Urbach边的密度
机译:化学气相沉积氢化非晶硅膜中的能隙态密度
机译:通过C-V特性和迁移率测量提取态密度的非晶硅薄膜晶体管的二维电流模拟
机译:非晶硅和非晶硅锗p-i-n太阳能电池中电容技术对中能隙态的表征
机译:通过辉光放电光谱研究掺杂元素来表征非晶硅薄膜。电导率和带隙能量测量的相关性
机译:氢化非晶硅中能隙态的密度
机译:氢化非晶硅中间隙态的密度
机译:等效于晶体半导体的非晶半导体-包括具有补偿材料的固态主体基质半导体薄膜,可降低局部能隙态的密度
机译:一种用于非晶硅太阳能电池的宽带隙氢化非晶硅缓冲层的制备方法
机译:非晶硅,生产非晶硅的设备,生产非晶硅的方法,由非晶硅生产的硅以及生产硅的方法
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