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程旭; 汤庭鳌; 钟宇; 王晓光; 康晓旭;
复旦大学微电子学系;
铁电非挥发逻辑(FeNVL); 互补金属氧化物半导体D触发器; 非挥发现场可编程门阵列;
机译:金属铁电 - 金属 - 绝缘体 - 半导体栅极堆栈结构的存储器和逻辑应用的铁电场效应晶体管设计点,使用HF_(0.5)Zr_(0.5)O_2膜
机译:金属-铁电绝缘体-半导体场效应晶体管(MFISFET)在非挥发性逻辑集成电路中的应用
机译:铁电栅极场效应晶体管的最新进展及其在非易失性逻辑和FeNAND闪存中的应用
机译:密集铁电嵌入式非易失性记忆的应用驱动设计探索
机译:高能量密度电容器应用中场致反铁电/铁电到铁电相变的非线性介电行为
机译:铁电栅场效应晶体管的最新进展及其在非易失性逻辑和FeNaND闪存中的应用
机译:pEmOCVD铁电非挥发性辐射 - 硬记忆。阶段1。
机译:在同一半导体管芯上集成逻辑电路,嵌入式DRAM和嵌入式非挥发性铁电随机存取存储器(FERAM)的半导体芯片制造过程
机译:带粒度门的非挥发性铁电逻辑
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