Preparation and Characterization of CeO_2/YSZ/CeO_2 Buffer Layers for YBCO Coated Conductors

摘要

CeO2 种子层在帮助转动的双性人向轴的方向上被扔粗糙的金属底层由直流(DC ) 磁控管反应劈啪作响。CeO2 薄电影的取向附生的取向上的免职温度的效果被检验。高质量的 CeO2 层从 750 deg C 在免职温度被完成到 850 deg C.Subsequently 稳定氧化钇的氧化锆(YSZ ) andCeO2 电影被扔经由一样的过程完成缓冲区层结构。最好的样品展出了一块高度二轴的质地，由 FWHM 显示了完整的宽度一半最大)在 4 deg-5 deg 的范围的价值，和为在里面飞机和 out-of-planeorientations 的 2 deg-4 deg ， respectively.Secondary 离子团分光计分析对 Ni 证实了缓冲区层的有效预防， W 金属 interdiffusion.Atomic 力量显微镜观察揭示了光滑、稠密、没有裂缝的表面形态学，它自己提供了著名计算机生产厂商他好缓冲区结构到YBa2Cu3O_(7三角洲)( YBCO )涂的导体。