SmCo/Cr薄膜中Cr底层最佳溅射条件的正交设计研究

摘要

在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响。设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响。用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4cm,功率为50W,溅射气压为0.5Pa,溅射时间为9min。并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素。而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小。本实验设计可达到95%的置信度。