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单靶磁控溅射Cu1-xCrx合金薄膜的方法

摘要

一种薄膜技术领域的单靶磁控溅射Cu1-xCrx合金薄膜的方法。本发明首先把铜板加工成溅射仪要求的铜靶,并按照溅射仪的溅射参数在铜靶的溅射区靶径上钻不同数量和不同直径的圆形或者锥形小孔,并附加以靶材的挡片,同时将铬金属加工成相应尺寸和形状的小棒,并使其与小孔达到紧密配合,铜挡片、靶材和基底经过清洗后先后装入溅射仪,选择溅射功率,调整溅射靶位和溅射参数,制备铜铬合金膜,所述的Cu1-xCrx,x=1.19~2.37,x为原子百分比。本发明具有能够节省原材料,提高薄膜纯度的特点。且制备工艺简单,能够随时调节合金含量,提高生产效率。

著录项

  • 公开/公告号CN100443626C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-12-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN200610024078.2

  • 申请日2006-02-23

  • 分类号C23C14/14(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/54(20060101);

  • 代理机构31201 上海交达专利事务所;

  • 代理人王锡麟;王桂忠

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-04-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/14 授权公告日:20081217 终止日期:20120223 申请日:20060223

    专利权的终止

  • 2008-12-17

    授权

    授权

  • 2006-09-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-07-26

    公开

    公开

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