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薛舫时;
单片集成电路与模块国家级重点实验室;
南京电子器件研究所;
南京210016;
耦合沟道阱; 能带剪裁; 子带间散射; 低噪声氮化镓异质结场效应管; 优化设计;
机译:使用电学方法和拉曼光谱法确定大功率AlGaN / GaN HFET中的沟道温度
机译:AlGaN / GaN HFET中的器件缩放物理和沟道速度:速度和有效栅极长度
机译:耦合势垒厚度对不对称耦合GaN / Al_(0.5)Ga_(0.5)N / GaN多量子阱中结构和光学性能的影响
机译:MOVPE生长的AlGaN / GaN HFET结构中GaN沟道电导率的优化
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:InGaN / GaN量子阱结构中的表面等离子体激元耦合动力学和辐射效率的提高
机译:耦合Ingan / GaN量子阱和量子点结构中旋转光学偏振的研究
机译:GaN / alGaN耦合量子阱中工程子带间非线性在宽带宽应用中的优化性能
机译:适用于电源开关应用的高级AIGAN / GAN基HFET和/或MOSHFET中基于TA的全欧姆接触
机译:具有在阱中形成的沟道停止部和沟道区域的半导体场效应器件及其制造方法
机译:金属氧化物半导体晶体管包括在半导体衬底中掺杂有第一导电类型的阱,外延层,以及第二导电类型的源/漏区和布置在外延层中的沟道区
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