退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
薛舫时;
南京电子器件研究所;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
南京210016;
氮化镓异质结场效应晶体管; 沟道中的强场峰; 背势垒; 电流崩塌; 场板电极; 短沟道效应; 源-漏穿通;
机译:击穿电压超过1 kV且$ R_ {scriptscriptstyle {rm ON}}低的A $击穿电压的AlGaN / GaN / GaN:C背势垒HFET
机译:基于AlGaN:C背势垒的AlGaN / GaN肖特基势垒二极管随偏压变化的缓冲阱的识别
机译:使用超薄GaN / AlN超晶格作为势垒层的准AlGaN / GaN HFET演示
机译:背势垒层中的碳对GaN肖特基二极管中的表面电场峰的影响
机译:GaInN / GaN肖特基势垒太阳能电池。
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:基于AlGaN:C背势垒的AlGaN / GaN肖特基势垒二极管随偏压变化的动态RON的缓冲阱的识别
机译:采用背对背势垒-N-N变容二极管的220 GHz三倍频器
机译:带有场板的GaN基肖特基势垒二极管
机译:当在k材料上累积TaN扩散势垒场的方式时(k材料上TaN扩散势垒场的PEALD)低
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。