GaAs多晶薄膜的电共沉积制备及其半导体性能研究

摘要

采用电共沉积制备ＧａＡｓ 薄膜． 研究了电流密度、溶液中离子浓度比、ｐＨ 值等电沉积参数对膜层质量的影响． 并在观察膜层形貌的基础上，测试了膜层化学成分、晶格结构和能级位置、带隙值等半导体性能． 测试结果证明膜的直接带隙材料性，带隙宽度为１．４０ ｅＶ，薄膜成分为Ｇａ０ ．９９４６Ａｓ１．００５４ ，接近化学计量的ＧａＡｓ．