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黄大鹏; 戴显英; 张鹤鸣; 王伟; 吴建伟; 胡辉勇; 张静; 刘道广;
西安电子科技大学微电子学院;
模拟集成电路国家重点实验室;
硅锗异质结双极晶体管; 自对准; 侧墙; 悬梁;
机译:自对准SiGe HBT中选择性外延生长的外在基础结构分析
机译:氧化物厚度对SOI结构SiGe HBT性能影响的模拟研究
机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:在单个制造步骤中生成自对准SiO2 / Ge / SiO2 / SiGe栅堆叠异质结构的独特方法
机译:400GHz fMAX完全自对准SiGe:C HBT架构
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造
机译:SOI衬底上的自对准SiGe HBT
机译:SOI衬底上的自对准SiGe HBT BiCMOS及其制造方法
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