退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
王翠霞; 许维胜; 谢福渊; 陈炬; 吴启迪;
同济大学;
上海200092;
FORCEMOS技术有限公司;
中国台北000300;
沟槽MOSFET; 器件优值; 沟道长度调制效应; 栅-漏电荷;
机译:使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET,其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗
机译:Stripfet IIII技术MOSFET导通电阻开关损耗减少技术 - 引入低电阻,低QG特性平面MOSFET,具有沟槽门MOSFET的损失
机译:栅极控制二极管,高频和准静态$ C $ – $ V $技术,用于表征高级垂直沟槽功率MOSFET
机译:用于高频开关应用的80V类硅横向沟槽功率MOSFET
机译:MOSFET电流源栅极驱动器,用于MHz开关频率DC-DC转换器的开关损耗建模和频率抖动控制。
机译:超高频分形天线在开关柜局部放电检测中的应用研究
机译:异结二极管屏蔽SIC分流栅极沟槽MOSFET,具有优化的反向恢复特性和低开关损耗
机译:高频开关电源中射频干扰的控制
机译:用于连接开关节点的开关装置,具有为n沟道MOSFET设计的控制电路,并检测开关节点处的电压之一,其中当其中一个电压达到阈值时,通过控制输入来调节MOSFET
机译:具有改善的非钳位电感开关性能的功率沟槽MOSFET及其制备方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。