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Ga_xIn_(1-x)Sb红外材料的MOCVD法生长特性研究

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用水平常压 MOCVD 系统生长了 Ga_xIn_(1-x)Sb(0.5

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来源
《稀有金属》 |1993年第3期|189-191|共3页
作者
张宝林; 周天明; 金亿鑫; 蒋红; 宁永强;
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作者单位

中国科学院长春物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.26;
关键词
镓铟锑合金; MOCVD法; 生长; 特性;

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