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沈新尹;
北京师范大学分析测试中心;
外延生长; 蒸镀; 上金; 实验条件; 实验过程; 原子层; 低能电子; 电子性质; 石英晶体振荡器; 粘滞系数;
机译:Si和c-BN衬底上金刚石(100)膜外延生长的价电子结构分析
机译:在氩气助熔剂中蒸发钛膜的热氧化在Si(100)衬底上金红石膜的外延生长
机译:在NaCl(100)衬底上外延生长的铁磁CrSb厚膜
机译:NaCl在Fe(100)上的外延生长及Fe / NaCl / Fe磁性隧道结的表征
机译:研究碲化汞镉红外探测器在硅(100)衬底上碲化镉纳米异质外延生长的研究。
机译:3C–SiC(100)/ Si(100)衬底上外延石墨烯的结构和电子性能研究
机译:Si衬底上金刚石异质外延生长的研究
机译:外延YBa2Cu3O(7-x)薄膜:扫描隧道显微镜研究外延生长的初始阶段,生长机制和衬底温度的影响。
机译:外延生长衬底,外延生长衬底的制造方法,外延衬底和半导体器件
机译:外延生长衬底的制造方法,由其获得的外延生长衬底以及使用该衬底的发光器件
机译:碳化硅-外延衬底,制备碳化硅的方法-外延生长衬底,制备碳化硅的方法-半导体器件,碳化硅-先于方向生长和碳化硅-先于方向生长元素
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