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张桂成; 吴征;
中科院上海冶金研究所;
发光管; 深能级; 暗结构缺陷; 砷化镓; 液相外延生长; GaAlAs;
机译:GaAs / GaAlAs LPE层中晶体缺陷的检测和成因
机译:辐照III-V半导体中深本征点缺陷能级的能量位置与有限费米能级之间的相关性
机译:静水压力下电子输运数据研究n-GaAs中深供体能级
机译:在X射线照射后由GaAs和Gaalas制成的p-n结中的缺陷
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:GaAs / GaAlAs量子阱中氢供体杂质的线性Rashba模型
机译:通过正电子漂移速度瞬态测量观察到的半绝缘Gaas中的深能级缺陷EL2和EL6的电子发射
机译:Gaalas-Gaas-Gaalas异质结构中的谐振磁通道
机译:GaAs / GaAlAs中的垂直肖特基势垒栅场效应晶体管
机译:从GaAs和GaAlAs外延晶体中消除硅金字塔
机译:基于GaAs-Gaalas化合物获得P-I-N结构的方法通过液相外延
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