首页> 中文期刊> 《微电子学》 >低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的研究进展

低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的研究进展

         

摘要

由于无线移动终端重量、体积以及成本等各方面的限制,电路必须满足低电压、低功耗的要求。在CMOS射频低噪声放大器中,如何在满足性能指标要求的同时降低电源电压和功耗,已成为当前研究的热点。文章综述了几种降低CMOS低噪声放大器电源电压和功耗的方法,讨论了一些相关的设计问题。最后,展望了低电压、低功耗CMOS低噪声放大器的未来发展趋势。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号