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低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计

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介绍了一个针对无线通讯应用的2.1GHz低噪声放大器(LNA)的设计.该电路采用Chartered 0.25μm CMOS工艺,电源电压为2.5V,设计中使用了多个电感.详述了设计过程并给出了优化仿真结果.模拟结果显示,该电路能提供21.63dB的正向增益(S21),功耗为12.5mw,噪声系数为2.1dB,1dB压缩点为-19.0541dBm,芯片面积为0.8x0.6mm2.

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|69-72|共4页
会议地点重庆
作者
黄海云; 郑梁; 胡冀; 胡炜薇; 秦会斌;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类低噪声放大器;
关键词
低噪声放大器; 电路设计; 噪声控制; 仿真分析;
入库时间 2022-08-17 10:17:22

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