硅外延S坑缺陷的研究

摘要

用扫描电镜、透射电镜和二次离子质谱研究了硅外延片中的Ｓ坑缺陷。在Ｓ坑缺陷中观察到一种线度比通常Ｓ坑更大的浅底坑缺陷。研究表明Ｓ坑缺陷分布在３～４μｍ深的外延表面层中，其结构为位错缠结及带有杂质沉淀的缺陷团。Ｓ坑缺陷起因于金属杂质的沾污。