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李国儒; 李国林; 李冬梅; 李福乐; 池保勇; 张春;
清华大学微电子学研究所;
清华大学电子工程系;
噪声抵消; 低噪声放大器; 射频滤波器; 多标准;
机译:集成在0.18μm标准数字CMOS工艺中的1.5V 75dB动态范围三阶Gm-C滤波器
机译:1.5V 75dB动态范围三阶G / sub m / -C滤波器,集成在0.18- / splμ/ m标准数字CMOS工艺中
机译:190 mV启动和效率为59.2%的CMOS栅极升压倍压电荷泵,采用0.18 urn标准CMOS工艺进行能量收集
机译:集成在0.18μm标准数字CMOS工艺中的1.5 V 75 dB动态范围三阶G_m-C滤波器
机译:数字CMOS工艺中的射频低噪声和高Q集成滤波器。
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:标准0.18μm-CMOS技术设计有源电感的Butterworth和Chebyshev微波带通滤波器的设计
机译:可重配置的0.7 2.6GHz宽带混频器,适用于0.18m RF CmOs的多模多标准接收器。
机译:使用小于0.18 um CMOS工艺制造镶嵌铜电感器结构的方法
机译:具有元素阵列的基于MEMS CMOS的射频滤波器的方法和系统
机译:具有元素的有机集合的MEMS的基于CMOS的射频滤波器的方法和系统
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