退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
任冬玲; 张鹤鸣; 舒斌; 户秋瑾; 宋建军;
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
应变Si; 应力引入; 衬底致双轴应变; 工艺致单轴应变;
机译:X射线对于测量应变Si和用于多孔低k膜的新材料具有强大的测量能力
机译:7纳米创新技术使摩尔定律得以延续
机译:摩尔定律的延续
机译:逻辑技术扩展以延续摩尔定律
机译:应变不饱和环烷作为新材料的基础。
机译:Ba1-xSrxZn2Si2O7-具有负热膨胀和极高热膨胀的新材料系列
机译:环形暗场图像中(100)Si上Si1-xGex(x = 0.20)和Si1-yCy(y <0.015)外延应变膜的成分和应变对比
机译:si1-xGex / si和si / Ge应变层超晶格的光致发光研究
机译:具有平面和非平面结构的绝缘体上应变Si和弛豫Si或应变SiGe FET的协整方法
机译:应变Si-SOI衬底的制造方法以及由该衬底制造的应变Si-SOI衬底
机译:制造应变SI-SOI基体的方法及其制造的应变SI-SOI基体
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。