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刘艳辉; 孟亮; 张秀娟;
浙江大学;
无机非金属材料; FeS2薄膜; Fe膜硫化法; 晶体取向; 表面能; 界面应变能;
机译:沉积温度和基底取向对脉冲激光沉积在铂基底上生长的Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜微结构的影响
机译:外延生长取向对在平面压缩基底上生长的(Ba_(0.3)Sr_(0.7))TiO_3薄膜的残余应变和介电性能的影响
机译:物理化学和晶体取向对PVD法在镀锌基底上形成的Mg薄膜的耐蚀性的影响
机译:蓝宝石谱系取向对氢化物气相外延生长的GaN薄膜晶体质量的影响
机译:Y(1-x)Pr(x)Ba(2)Cu(3)O(7)薄膜的生长,传输和隧穿光谱作为晶体取向的函数
机译:高性能ZnPc薄膜光敏材料有机场效应晶体管:多层电介质的影响系统和薄膜生长结构
机译:纯氮中RF反应溅射对晶体偏置对C轴取向AlN薄膜生长的影响
机译:温度,生长动力学和基底对RF轴外溅射沉积YBa(sub 2)Cu(sub 3)O(sub 7)薄膜微观结构的影响
机译:通过将至少第一和第二晶体结合到粘合层上以形成平铺基底并在所述平铺基底上生长晶体组合物来生长融合晶体的方法
机译:硅在玻璃基底上的晶体学取向生长
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