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International conference on defects in semiconductors
International conference on defects in semiconductors
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1.
Massive point defect redistribution near semiconductor surfaces and interfaces and its impact on Schottky barrier formation
机译:
半导体表面和界面附近的大量点缺陷再分配及其对肖特基屏障形成的影响
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
defects;
cathodoluminescence spectroscopy;
interfaces;
segregation;
schottky barriers;
2.
Formation of nonuniformity in ZnSe/ZnMgSSe quantum well structures during MOVPE on GaAs(001) misoriented by 10° to (111 )_A plane
机译:
在GaAs(001)上的MOVPE期间在ZnSe / Znmgsse量子阱结构中形成不均匀性10°至(111)_A平面
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ZnSe/ZnMgSSe QW structure;
x-ray diffraction;
cathodoluminescence;
MOVPE;
3.
Spin-dependent recombination of defects in bulk ZnO crystals and ZnO nanocrystals as studied by optically detected magnetic resonance
机译:
通过光学检测磁共振研究的散装ZnO晶体和ZnO纳米晶体中的缺陷依赖性重组
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ZnO;
nanocrystals;
recombination;
ODMR;
4.
Thermally induced defect photoluminescence in hydrogenated amorphous silicon upon intense interband pumping
机译:
在激烈的间带式泵送时热诱导氢化非晶硅中的缺陷光致发光
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
amorphous silicon;
defects;
photoluminescence;
hydrogen glass;
5.
Defects of Ge quantum dot arrays on the Si(001) surface
机译:
Si(001)表面上GE量子点阵列的缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ge quantum dots;
dense arrays;
defects;
scanning tunnelling microscopy;
6.
Low temperature transport spectroscopy of defects using Schottky-barrier MOSFETs
机译:
使用肖特基 - 屏障MOSFET的低温传输光谱缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
spectroscopy;
single defects;
electron transport;
7.
Optical studies of A~+-centers in GaAs/AlGaAs quantum wells. Energy structure of the isolated centers, and their collective behavior
机译:
GaAs / Algaas量子阱中的〜+ - 中心的光学研究。孤立中心的能量结构及其集体行为
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
GaAs;
acceptors;
quantum wells;
8.
Defect-induced polytype transformations in LPE grown SiC epilayers on (111) 3C-SiC seeds grown by VLS on 6H-SiC
机译:
在6H-SIC上的(111)vls中的3c-sic种子的LPE生长SiC脱落剂中的缺陷诱导的聚催化转化
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
SiC;
LPE;
TEM;
LTPL;
9.
Hydrogenic impurity binding energy in vertically coupled Ga_(1-x)Al_xAs quantum-dots under hydrostatic pressure and applied electric field
机译:
静液压压力下垂直耦合Ga_(1-x)Al_xas量子点的氢杂质杂质能量,施加电场
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
multiple quantum dots;
donor impurity;
electric field;
hydrostatic pressure;
10.
Doping and segregation of impurity atoms in silicon nanowires
机译:
硅纳米线中杂质原子的掺杂和偏析
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon nanowires;
doping;
raman;
ESR;
11.
Shallow defects in Cu_2ZnSnS_4
机译:
CU_2ZNSNS_4中的浅缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
kesterites;
photoluminescence spectroscopy;
defects;
12.
Hydrogen ion drift in Sb-doped Ge Schottky diodes
机译:
SB掺杂Ge肖特基二极管中的氢离子漂移
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
hydrogen;
germanium;
passivation;
dissociation;
13.
Electronic structure of oxygen vacancy in crystalline InGaO_3(ZnO)_m
机译:
结晶IngaO_3(ZnO)_M中氧空位的电子结构
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
oxygen vacancy;
IGZO;
electronic structure;
first-principles;
14.
Photoluminescence from triplet states of isoelectronic bound excitons at interstitial carbon-intersititial oxygen defects in silicon
机译:
在硅中间质碳间氧缺陷中的异形结合激子三重态的光致发光
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
photoluminescence;
C-line;
spin triplet state;
silicon;
15.
Stress-induced nanoislands nucleation during growth of Ge/Si heterostructures under low-energy ion irradiation
机译:
低能离子照射下GE / Si异质结构生长期间应力诱导的纳米岛成核
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
epitaxy;
nanocluster;
strain;
ion irradiation;
molecular dynamics;
simulation;
16.
IR characterization of hydrogen in crystalline silicon solar cells
机译:
晶体硅太阳能电池中氢的IR表征
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
hydrogen;
Si;
photovoltaics;
infrared spectroscopy;
17.
Formation of vacancy and oxygen containing complexes in Cz-Si by rapid thermal annealing
机译:
通过快速热退火形成CZ-Si中含有空位和含氧含量的形成
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
quenching;
vacancies;
oxygen;
FTIR;
18.
Optical and magneto-optical properties of thin Zn_(1-x)Mn_xO films doped by nitrogen
机译:
通过氮气掺杂的薄Zn_(1-x)Mn_xo膜的光学和磁光性能
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ZnMnO;
diluted magnetic semiconductor;
MCD;
19.
Structural study of low-temperature grown superlattices of GaAs with delta-layers of Sb and P
机译:
用SB和P的Delta层的GaAs低温种植超晶格的结构研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
low-temperature GaAs;
δ-doped layers;
x-ray diffraction;
20.
EBIC investigations of defect distribution in ELOG GaN films
机译:
ETOG GAN电影中缺陷分布的EBIC调查
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
EBIC;
GaN;
ELOG;
local dopant concentration;
21.
Temperature and dose dependence of defect complex formation with ion implanted Mn/Fe in ZnO
机译:
ZnO中离子注入Mn / Fe缺损复合物形成的温度和剂量依赖性
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ZnO;
moessbauer spectroscopy;
Mn and Fe ion implantation;
defect complexes;
22.
Trivacancy in silicon: A combined DLTS and ab-initio modeling study
机译:
硅中的Trivacancy:一种组合的DLT和AB-Initio建模研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
trivacancy;
energy levels;
DLTS;
Ab-initio modeling;
23.
Influence of Ge nanocrystals and radiation defects on C-V characteristics in Si-MOS structures
机译:
Ge纳米晶体和辐射缺陷对Si-MOS结构C-V特性的影响
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
isotopically enriched Ge nanocrystals;
neutron-transmutation doping;
MOS structures;
C-V characteristics;
24.
Li-related defects in ZnO: Hybrid functional calculations
机译:
ZnO相关缺陷:混合功能计算
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ZnO;
doping;
lithium;
theory;
hybrid functionals;
25.
Evaluation of the crystalline quality of β-Ga_2O_3 films by optical absorption measurements
机译:
光学吸收测量评价β-GA_2O_3膜的晶体质量
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
gallium oxide;
transparent electrode;
optical absorption spectra;
26.
Optical and structural properties of MOVPE-grown GaInSb/GaSb quantum wells
机译:
Movpe-生长的Gaintb / Gasb量子孔的光学和结构性
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
III-V antimonides;
strained layers;
photoluminescence;
27.
The influence of sapphire substrate orientation on crystalline quality of GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy
机译:
蓝宝石谱系取向对氢化物气相外延生长的GaN薄膜晶体质量的影响
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
nitride gallium;
structure;
hydride vapor phase epitatial;
28.
On the nature of defect states at interfaces of InAs/AlSb quantum wells
机译:
关于INAS / ALSB量子阱界面缺陷状态的性质
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
anion-site antisite defects;
InAs quantum wells;
Cyclotron resonance;
29.
Depth profile of donor-acceptor pair transition revealing its effect on the efficiency of green LEDs
机译:
供体受体对转变的深度剖面,揭示其对绿色LED效率的影响
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
light emitting diode;
cathodoluminescence;
GaInN/GaN;
donor-acceptor pair;
depth profiling;
30.
Characterization of II-VI: 3d crystals with the help of ultrasonic technique
机译:
超声波技术的帮助表征II-VI:3D晶体
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
semiconductor;
impurity;
transition metal;
ultrasonic attenuation;
31.
Computer simulation of some optical properties of one-dimensional photonic finite systems (Si/a-SiO_2)_m with defects
机译:
一维光子有限系统(Si / A-SiO_2)_M缺陷的一维光学性能的计算机模拟
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
Si, a-SiO_2;
transmission spectra;
photonic band gap material;
defect;
transfer matrix method;
numerical stability;
32.
Nitrogen and hydrogen in bulk single-crystal ZnO
机译:
散装单晶ZnO中的氮气和氢气
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ZnO;
hydrogen;
nitrogen;
infrared;
33.
Relaxation spectrum of the TlSbSe_2 thin films
机译:
TLSBSE_2薄膜的放松光谱
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
dielectric properties;
TlSbSe_2;
thin film;
chalcogenide;
34.
Electron paramagnetic resonance and dynamic nuclear polarization of ~(29)Si nuclei in lithium-doped silicon
机译:
锂掺杂硅中〜(29)Si核的电子顺磁共振和动态核极化
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
lithium donor;
electron paramagnetic resonance;
dynamic nuclei polarization;
35.
Self-assembling of isoelectronic impurity nanoclusters in III-V semiconductors
机译:
III-V半导体中等电子杂质纳米团簇的自组装
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
self-assembling;
impurities;
nanoclusters;
36.
Control of impurity diffusion in silicon by IR laser excitation
机译:
红外激光激发对硅中杂质扩散的控制
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
IR excitation;
impurity diffusion;
selective diffusion;
37.
Lattice location of the group V elements As and Sb in ZnO
机译:
Zno中的V元素和SB的晶格位置
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
zinc oxide;
arsenic;
antimony;
lattice location;
ion implantation;
38.
Impurity photoconductivity in strained p-InGaAs/GaAsP heterostructures
机译:
应变p-ingaas / gaAsp异质结构中的杂质光电导性
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
acceptor;
photoconductivity;
quantum wells;
39.
One more deep level related to the metastable hydrogen-related defects in n-GaAs epilayers
机译:
与N-GaAs癫痫术中的亚稳态氢相关缺陷有关的更深水平
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
GaAs;
deep levels;
hydrogen;
metastability;
40.
Comparison of electron irradiation effects on diodes fabricated on silicon and on germanium doped silicon substrates
机译:
电子照射效应对硅和锗掺杂硅基纤维锗的二极管的比较
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
CZ-Si;
CZ-SiGe;
diodes;
electron irradiation;
degradation;
41.
Dynamical nuclear polarization by means of shallow donors in ZnO quantum dots
机译:
ZnO量子点浅供体的动态核极化
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
EPR;
ESE;
nuclear polarization;
ZnO;
AgCl;
quantum dot;
shallow donor;
42.
Oxygen diffusion in Si_(1-x)Ge_x alloys
机译:
Si_(1-x)Ge_x合金中的氧气扩散
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
Si_(1-x)Ge_x;
oxygen;
diffusion;
43.
Laser-induced melting and recrystallization of CVD grown polycrystalline Si/SiGe/Ge layers
机译:
激光诱导的CVD种植多晶Si / SiGe / Ge层的熔融和再结晶
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
SiGe/Ge;
laser recrystallization;
microstructure;
TEM;
44.
Detection and identification of nitrogen defects in nanodiamond as studied by EPR
机译:
纳米金刚型氮缺陷的检测与鉴定EPR
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
defect;
EPR;
ESE;
nitrogen;
nanodiamond;
45.
Donor level of interstitial hydrogen in semiconductors: Deep level transient spectroscopy
机译:
半导体中间质氢的供体水平:深层瞬态光谱
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
experiment;
group IV and compounds;
defects;
hydrogen;
irradiation;
46.
Evidence of trapping levels and photoelectric properties of Cu_3BiS_3 thin films
机译:
Cu_3bis_3薄膜捕获水平和光电性能的证据
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
films;
photoconduction;
recombination;
hopping transport;
47.
Some features of a microdefect revealing in single-crystal silicon by the preferential etching technique
机译:
None
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
single crystal;
microdefect;
defect-contrast etching;
48.
Persistent photoconductivity of ZnO
机译:
ZnO的持续光电导
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
Zno;
photoconductivity;
electron paramagnetic resonance;
49.
Fabrication of low-resistive p-type Al-N co-doped zinc oxide thin films by RF reactive magnetron sputtering
机译:
通过RF反应磁控溅射制备低电阻P型Al-N共掺杂氧化锌薄膜
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
p-Type;
AZO;
thin film;
reactive sputtering;
50.
Microstructural and magnetic study of Fe-implanted 6H-SiC
机译:
Fe-incernanted 6h-SiC的微观结构和磁性研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
51.
Electronic structure of diluted magnetic semiconductors Pb_(1-x-y)Sn_xCr_yTe
机译:
稀释磁半导体的电子结构PB_(1-X-Y)SN_XCR_YTE
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
magnetic impurities;
IV-VI semiconductors;
deep impurity level;
electronic structure;
52.
Photoluminescence energy transitions in GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs double quantum wells: Electric and magnetic fields and hydrostatic pressure effects
机译:
GaAs-Ga_(1-x)AL_XAS双量子阱中的光致发光能量转变:电磁场和静水压力效应
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
quantum wells;
photoluminescence;
excitons;
hydrostatic pressure;
53.
Structural distortions in nitrogen-doped GaP and GaAs
机译:
氮气掺杂间隙和GaAs中的结构扭曲
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
A3B5;
nitrogen;
lattice distortions;
energy levels;
54.
Peculiarities of the spectroscopic properties of γ-La_(2(1-x))Nd_2xS_3 crystals caused by their structure imperfection
机译:
由其结构缺陷引起的γ-LA_(2(1-x))ND_2xS_3晶体的光谱性质的特性
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
55.
Bistable character of a deep level in polycrystalline Si substrate for solar cell
机译:
用于太阳能电池多晶硅Si衬底的深水位的双稳态特征
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
polycrystalline Si;
grain boundary;
copper;
bistability;
hydrogen passivation;
56.
Microscopic observation of vacancy and self-interstitial and the formation of Frenkel pairs in InSb by Mossbauer spectroscopy
机译:
Mossbauer光谱法的空位和自夸缩和弗莱克尔对形成的微观观察
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
III-V semiconductor;
InSb;
mossbauer effect;
vacancies;
interstitials;
57.
A new spin one defect in cubic SiC
机译:
三次SIC的新旋转一个缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
cubic SiC;
radiation-induced defect;
divacancy;
zero-field splitting;
58.
XAFS studies of nickel-doped lead telluride
机译:
XAFS研究镍掺杂的碲化物
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
lead telluride;
impurities;
defects;
XAFS;
59.
On the stretched-exponential decay kinetics of the ionized DX centers in gallium doped Cd_(1-x)Mn_xTe
机译:
在镓掺杂CD_(1-X)MN_XTE中的电离DX中心的拉伸指数衰减动力学
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
photoconductivity decay;
DX centers;
stretched-exponential relaxation;
60.
Structural and electronic properties of carbon-doped c-BN(110) surface
机译:
碳掺杂C-BN(110)表面的结构和电子性质
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
BN crystal;
density functional theory;
formation energies;
61.
Local cathodoluminescence study of defects in semiconductors and multilayer structures
机译:
半导体和多层结构缺陷的局部阴极发光研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
cathodoluminescence;
defects;
carrier transport;
semiconductors;
heterostructures;
62.
Defect structure of zinc doped silicon studied by X-ray diffuse scattering method
机译:
X射线漫射散射法研究锌掺杂硅的缺陷结构
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
x-ray diffuse scattering;
reciprocal space map;
silicon;
transition metal impurity;
63.
Effects of irradiation induced lattice defects on standard trench and fine pattern trench IGBT characteristics
机译:
辐照诱导晶格缺陷对标准沟槽和细图案沟槽IGBT特征的影响
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
IGBT;
electron irradiation;
DLTS;
64.
Hydrogenic donor impurity in parallel-triangular quantum wires: Hydrostatic pressure and applied electric field effects
机译:
平行三角量子线中的氢化供体杂质:静压压力和施加电场效应
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
multiple quantum-well wires;
donor impurity;
electric field;
hydrostatic pressure;
65.
Raman scattering on H_2 in platelets in silicon
机译:
拉曼在硅中的血小板中的H_2散射
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
silicon;
hydrogen;
molecule;
raman scattering;
66.
TEM observations in Si: An attempt to link deformation microstructures and electrical activity
机译:
SI中的TEM观测:试图将变形微结构和电活动链接
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
silicon;
dislocations;
TEM;
deformation microstructures;
extended defects;
67.
Hall and thermoelectric evaluation of p-type InAs
机译:
大厅和热电评估p型Inas
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
InAs;
thermoelectric effect;
hall effect;
p-Doping;
68.
Hyperfine spectroscopy and characterization of muonium in ZnGeP_2
机译:
Zngep_2在锡鎓的高血清光谱与表征
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
hydrogen;
muonium;
ZnGeP_2;
69.
Intrinsic defects in CdTe and CdZnTe alloys
机译:
CdTe和Cdznte合金中的内在缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
CdTe;
ZnTe;
alloys;
defects;
conductivity;
70.
Energy state distributions at oxide-semiconductor interfaces investigated by Laplace DLTS
机译:
LAPLACE DLTS研究的氧化物半导体接口处的能量状态分布
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
Si/SiO_2 interface;
P_b centres;
dangling bond;
laplace DLTS;
71.
Isotopic fingerprints of gold-containing luminescence centers in ~(28)Si
机译:
在〜(28)Si中的含金含金致光中心的同位素指纹
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
deep centers;
photoluminescence;
isotopes;
72.
Structural characterization and electro-physical properties for SiOC(-H) low-k dielectric films
机译:
SIOC(-H)低k电介质膜的结构表征和电物理性质
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
SiOC C-H) low-k film;
metal-insulator-semiconductor (MIS);
structures;
surface state conditions;
(Si-CH_3)~+/(Si-O)~- defects;
73.
Impact of silicon substrate germanium doping on diode characteristics and on thermal donor formation
机译:
硅衬底锗掺杂对二极管特性的影响及热吹塑料
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
germanium-doped silicon;
thermal donors;
carrier lifetime;
czochralski Si;
magnetic czochralski Si;
float zone Si;
74.
Band-to-band and direct optical excitation of Er in silicon: Comparison of kinetics, temperature dependence of erbium PL
机译:
硅中ER的带状带和直接光学激发:动力学的比较,erbium pl的温度依赖性
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
erbium;
silicon;
luminescence;
75.
Physical properties of copper oxide thin films prepared by dc reactive magnetron sputtering under different oxygen partial pressures
机译:
不同氧气分压下DC反应磁控溅射制备的氧化铜薄膜的物理性质
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
cuprous oxide;
thin film;
sputtering;
oxygen partial pressure;
XPS;
76.
Electrical properties and deep traps spectra in AlGaN films with nitrogen and gallium polarities prepared by molecular beam epitaxy
机译:
AlGaN薄膜中的电性能和深阱光谱与分子束外延制备的氮气和镓极性
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
AlGaN;
polarity;
impurity;
deep traps;
77.
Non-equilibrium molecular-dynamics for impurities in semiconductors: Vibrational lifetimes and thermal conductivities
机译:
半导体杂质的非平衡分子动力学:振动寿命和热导
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
non-equilibrium molecular dynamics;
vibrational properties of impurities;
thermal conductivity;
78.
ZnSe based films characterization by cathodoluminescence
机译:
基于ZnSE的电影通过阴极致发光表征
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
II-VI;
ZnSe;
ZnMgSSe films;
defect;
activation energy;
79.
Dislocation luminescence and electrical properties of dislocation network produced by silicon direct wafer bonding
机译:
硅直接晶圆键合产生的位错管道的脱位发光和电气性能
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
dislocation networks;
dislocation luminescence;
cathodoluminescence;
80.
Influence of defects on charge and energy transfer in layered crystals
机译:
分层晶体充电和能量转移的影响
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
anisotropy;
conductivity;
stacking faults;
layered crystals;
81.
Quantum-limit anisotropic magnetoresistance of semiconducting n-BiSb alloys
机译:
量子限位的半导体N-BISB合金的各向异性磁阻
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
Bi-Sb;
magnetoresistivity;
quantum oscillations;
quantum limit;
anisotropy;
82.
The impurities of iron and cobalt in mercury selenide: Localization effects of hybridized electronic states in the temperature dependences of thermoelectric power
机译:
亚硒酰胺中铁和钴的杂质:杂交电子状态在热电力的温度依赖性中的定位效应
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
thermoelectric power;
magnetic impurities;
hybridization of electron states;
83.
An application of gold diffusion for defect investigation in silicon
机译:
黄金扩散在硅中缺陷调查的应用
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
Si;
gold;
DLTS;
vacancy;
nitrogen;
diffusion;
84.
Simultaneous effects of pressure and temperature on donor binding energy in Poeschl-Teller quantum well
机译:
压力和温度对Poeschl-Teller Quantum中供体绑定能量的同时效应
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
poschl-teller quantum well;
hydrostatic pressure;
donor impurity;
85.
Self-assembling conditions of 4C10Sn nanoclusters in Ge:(C, Sn)
机译:
GE :( C,SN)中4C10SN纳米能器的自组装条件
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
self-assembling;
nanoclusters;
impurities;
86.
Quantitative evaluation of germanium displacement induced by arsenic implantation using germanium isotope superlattices
机译:
使用锗同位素超晶格植入砷植入植物诱导的定量评估
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
germanium;
arsenic;
isotopes;
ion implantation;
amorphous;
87.
Vacancy clusters created via room temperature irradiation in 6H-SiC
机译:
通过室温照射在6H-SIC中创造空缺簇
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
SiC;
radiation-induced defect;
zero-field splitting;
spin-orbit coupling;
88.
Kinetics of reverse resistance recovery of silicon diodes: The role of the distance the metallurgical p~+n-junction-defect layer formed by 250 MeV krypton implantation
机译:
硅二极管反电恢复的动力学:距离250mev氪植入形成的距离距离冶金P〜+ N结缺陷层
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
ion irradiation;
carrier lifetime;
reverse resistance recovery time;
89.
Imaging minority carrier diffusion in GaN nanowires using near field optical microscopy
机译:
使用近场光学显微镜在GaN纳米线中成像少数载波扩散
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
transport imaging;
minority carrier;
GaN nanowires;
diffusion length;
near-field scanning optical microscopy;
NSOM;
90.
Muonium in 4H silicon carbide
机译:
4h碳化硅中的muonium
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
hydrogen;
muonium;
SiC;
91.
Charge carrier scattering on the short-range potential of the crystal lattice defects in ZnCdTe, ZnHgSe and ZnHgTe
机译:
电荷载体散射Zncdte,Zngse和Zngte中晶格缺陷的短程潜力
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
semiconductors;
defects;
charge carrier scattering;
92.
Hanle effect and spin-dependent recombination at deep centers in GaAsN
机译:
Hanle效应和旋转依赖于Gaasn的深中心的重组
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
spin-dependent recombination;
optical orientation;
93.
Magnetic impurity behavior in the type II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs:Mn heterostructures with 2D-semimetal channel at the interface
机译:
II型破损间隙P-GAINASSB / P-INA中的磁杂质行为:Mn异质结构,界面处有2D半沟道
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
magnetic impurity;
Mn;
heterostructures;
magnetotransport;
exchange interaction;
94.
Experimental and theoretical study of the thermal solubility of the vacancy in germanium
机译:
锗空位热溶解度的实验与理论研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
group IV and compounds;
experiment;
ge;
point defects;
DLTS;
95.
Effect of impurity potential range on a scaling behavior in the quantum Hall regime
机译:
杂质潜力范围对量子霍尔制度中缩放行为的影响
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
quantum hall effect;
impurity potential;
96.
DLTS study of the oxygen dimer formation kinetics in silicon
机译:
DLTS硅中氧二聚体形成动力学研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
silicon;
radiation defects;
oxygen;
97.
Isotope study of far IR absorption of bistable centers in hydrogen-implanted silicon
机译:
在氢气植入硅中的远程中IR吸收的同位素研究
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
hydrogen-related bistable donor;
nanostructures;
98.
Improved AMOLED with aligned poly-Si thin-film transistors by laser annealing and chemical solution treatments
机译:
通过激光退火和化学溶液处理改进了与对准的多Si薄膜晶体管的Amoled
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
AMOLED;
polycrystalline silicon;
thin-film transistor;
99.
Spin-Peierls transition in the Ge:As semiconductor impurity system in the vicinity of the insulator-metal phase transition
机译:
旋转Peierls在GE中的过渡:作为绝缘子 - 金属相变附近的半导体杂质系统
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
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2009年
关键词:
semiconductor impurity system;
insulator-metal phase transition;
spontaneous phase transition;
100.
Ruthenium related deep-level defects in n-type GaAs
机译:
钌相关的n型GaAs深层缺陷
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2009年
关键词:
experiment;
deep levels;
group III-V;
DLTS;
MOCVD;
defects;
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