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袁兆林; 祖小涛; 薛书文; 李绪平; 向霞; 王毕艺; 田东彬; 邓宏; 毛飞燕;
电子科技大学物理电子学院;
电子科技大学微电子与固体电子学院;
溶胶-凝胶法; ZnO:Al薄膜; 光致发光; 退火时间; 透过率;
机译:后退火时间对溅射Al掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:Al掺杂和退火后处理对沉积在Si衬底上的ZnO:Al薄膜的结构和光学性能的影响
机译:Mg掺杂水平和退火温度诱导高度C轴取向ZnO:Mg薄膜和Al / ZnO:Mg / P-Si / Al异质结二极管的结构,光学和电性能
机译:退火后退火对ZnO:Al薄膜结构,电和光学性能的影响RF磁控溅射
机译:退火温度对Sol-Gel ZnO薄膜力学性能的影响。
机译:添加锌和真空退火时间对旋涂低成本1 at%Ga–ZnO薄膜透明导电薄膜性能的影响
机译:缺陷演变对氢化退火溅射沉积ZnO:al薄膜性能的影响
机译:ZnO:al掺杂水平和氢生长环境对CIGs太阳能电池性能的影响(介绍)
机译:控制电化学测试条件的,能够在短时间内沉积均匀的ZnO薄膜的ZnO的电沉积方法与现有方法相比较
机译:在CdTe基带上获得ZnO:Al薄膜的方法
机译:ZnO:Al靶材,其薄膜及其制造方法
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