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马艳; 张宝林; 高福斌; 张源涛; 杜国同;
大连理工大学物理与光电工程学院;
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室;
氧化锌薄膜; 氨气掺杂; 金属有机物化学气相沉积; 特性;
机译:由Al,Sc掺杂的ZnO / Al掺杂的ZnO和Al掺杂的ZnO / Al,Sc掺杂的ZnO组成的单层和双层薄膜的特性
机译:通过RF磁控溅射法对Ga掺杂ZnO薄膜特性进行Ga掺杂ZnO薄膜特性的Ga浓度依赖性
机译:掺杂Ga的ZnO透明导电薄膜上生长的ZnO纳米线的表征:掺杂Ga的ZnO薄膜的沉积温度的影响
机译:室温下在硅上生长具有ⅢA(Al或In)元素的纯掺杂ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜的异质结器件参数的比较
机译:改进IV族光子图:研究外延生长,低温硅和掺杂硅薄膜的材料特性
机译:磁控溅射锂掺杂ZnO薄膜的电阻开关特性
机译:气溶胶辅助化学气相沉积Ga掺杂的ZnO薄膜以实现节能玻璃:掺杂浓度对薄膜生长行为和光电特性的影响
机译:硫掺杂氧化锌(ZnO)纳米棒:生长机理的合成与模拟
机译:补偿与N型导电特性的银和第III族元素共掺杂的ZnO基薄膜的方法,并用该方法制成薄膜
机译:含ZnO薄膜生长的原始材料供应源,生产含ZnO薄膜的装置和方法以及包括ZnO薄膜的发光元件
机译:在其中掺杂有ZnO薄膜的透明电极中使用ZnO薄膜形成薄膜和发光装置的方法
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